現(xiàn)代記憶依靠電子電荷來存儲(chǔ)信息。雖然地球上設(shè)計(jì)和使用的大部分內(nèi)存足以完成任務(wù)，但當(dāng)系統(tǒng)離開我們的大氣層時(shí)，顯著更高水平的輻射的影響可能會(huì)對(duì)存儲(chǔ)在太空中的數(shù)據(jù)造成嚴(yán)重破壞。
 
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，可以保護(hù)數(shù)據(jù)免于斷電并在空間中正常運(yùn)行。Everspin及其合作伙伴在太空和易輻射環(huán)境中擁有比其他公司都多的MRAM。
 
Everspin MRAM制造商可以在后端(BEOL)FAB中提供8英寸MRAM晶圓。與多個(gè)CMOS前端(FEOL)代工廠選項(xiàng)配合使用能夠提供分立和嵌入式MRAM。Everspin一直以這種方式為其合作伙伴生產(chǎn)太空級(jí)MRAM。
 
在更高級(jí)的節(jié)點(diǎn)上，Everspin從2017年開始交付商用MRAM（40納米到22納米）。定制MRAM或嵌入式MRAM設(shè)備也可以在這些節(jié)點(diǎn)上使用。Everspin MRAM已經(jīng)過獨(dú)立測(cè)試，并且顯示在大于1Mrad和LET值為84MeV-cm2/mg時(shí)具有零硬錯(cuò)誤。
 
Everspin還擁有商業(yè)內(nèi)存路線圖，可提供商業(yè)現(xiàn)貨(COTS)功能，有助于提高RADHARD解決方案的效率、成本管理和長(zhǎng)期可用性。長(zhǎng)期路線圖讓設(shè)計(jì)人員有信心將MRAM設(shè)計(jì)到他們的軍事和航空航天解決方案中，而不必?fù)?dān)心因不斷的產(chǎn)品變化而過時(shí)或重新認(rèn)證。


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