Everspin MRAM是面向數據持久性和完整性、低延遲和安全性至關重要的市場和應用的翹楚。MR20H40CDF是位寬512Kx8的非易失性存儲器MRAM，對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用程序，是理想的存儲器解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲和無限的讀/寫耐久性。與其他串行存儲器不同，使用MR20H40CDF系列，讀取和寫入都可以在存儲器中隨機發生，寫入之間沒有延遲。Everspin代理英尚微電子支持提供樣品測試及產品相關技術方案.
 
MR20H40CDF概述
MR20H40CDF是一款SPI接口MRAM系列，其存儲器陣列在邏輯上組織為512Kx8，使用芯片選擇(CS\)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時鐘(SCK)的四引腳接口。外設接口(SPI)總線。MRAM實現了SPI EEPROM和SPI閃存組件通用的命令子集。這允許SPI MRAM替換同一套接字中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作。與其他串行存儲器替代品相比，SPI MRAM提供卓越的寫入速度、無限的耐用性、低待機和操作功率以及簡單、可靠的數據保留。
 
MR20H40CDF的優勢
與賽普拉斯FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多優勢：
•更快的隨機訪問操作時間（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）
•高可靠性和數據保留（在125℃工作溫度下超過20年）
•無限讀/寫耐久性
•無需擔心磨損
•斷電時自動數據保護
•有競爭力的價格
•穩定的制造供應鏈
 
常見引腳
MR20H40CDF是一個4Mb非易失性RAM，組織為512Kx8，由標稱3.3V電源供電，并與FRAM兼容。它提供標準的8引腳Small FlagDFN（DF版本）和8引腳DFN（DC版本），它們是通用封裝選項，可直接替代SPI-FRAM8引腳SOIC和8-引腳DFN封裝（表1）。
 
表 1. 引腳和封裝比較

特性/功能	SPI MRAM (MR20H40CDF)	SPI F-RAM (CY15B104Q)	注釋
8-pin DFN外露金屬焊盤	除了VSS之外不要連接任何東西	無連接	MRAM 8-pin DFN封裝的Exposed Metal Pad為NC(No Connect) pad；因此，它可以浮動或連接到 VSS。 Everspin不建議在PCB上焊接MRAM DFN 外露金屬焊盤
8-pin封裝	8-pin DFN 8-pin DFN(Small Flag)	8-pin DFN, 8-pin SOIC	MRAM的8引腳DFN封裝與F-RAM的8引腳DFN封裝兼容。 SPI M-RAM也適合賽普拉斯8引腳SOIC封裝

 
EVERSPIN MRAM 將提供最具成本效益的非易失性 RAM 解決方案。 MR2xH40xDF MRAM 使用更簡單的 1 晶體管、1 磁隧道結單元構建。簡單的 Everspin MRAM 單元可提高制造效率和可靠性。 MRAM 使用磁性隧道結技術進行非易失性存儲。數據不會在高溫下泄漏，并且沒有磨損機制來限制該技術中的讀取、寫入或電源循環次數。切換 MRAM 可靠性的另一個重要方面是數據保留，防止因熱感應磁化翻轉引起的錯誤。進行了加速烘烤測試，其中在烘烤前將棋盤圖案寫入部件，然后讀取數據。三個批次的 1500 個代表性 4-Mb 部件在 150 ℃ 2000 小時到 260 ℃ 2 小時的條件下烘烤，并且觀察到所有部件的數據保留翻轉為零。外推到工作溫度表明數據保留壽命超過 20 年。由于磁性材料對輻射暴露的固有穩健性，MRAM 還提供抗輻射性能。 4-Mb 芯片的阿爾法粒子和中子輻射顯示錯誤率 <0.5 FIT/Mb。


更多詳情點擊該鏈接：http://m.cfarsoft.com/list-180-1.html


本文關鍵詞： MRAM  MR20H40CDF   

相關文章：Everspin代理非易失性256Kb串口mram存儲器MR25H256ACDF

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。