據悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產能提高了 30%，有助于滿足全球客戶不斷攀升的 DRAM 芯片需求。而且，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時功耗還降低了 15%。

　　
三星表示，和 2012 年使用 20nm 工藝生產的 4Gb DDR3 芯片相比，新的 8Gb DDR4 芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。三星希望通過擴大 10nm DRAM 芯片的生產，深挖服務器、移動和圖形芯片市場，進一步提升整體競爭力。

　　
同時，三星還表示，將在 2018 年把現有多數 DRAM 芯片產能轉移到 10nm 芯片上。

　　
一直以來，DRAM 行業一直被行業三強壟斷。韓國的三星電子、SK海力士以及美國的美光科技擁有該領域的絕對話語權，三者的地位也相對固定。2017年三季度數據顯示，這三家企業的營收市占率分別為45.8%、28.7%和21.0%，共占取全球九成份額。

　　
特別是三星，從 1992 年超越日本 NEC 成為全球最大 DRAM 存儲制造商后，便一直霸占榜首的位置 25 年。而三星 2017 年的業績也非常優秀，可以說，半導體業務是運營利潤的主力。

　　
三星最新的財報顯示，三星今年第三季度利潤翻倍，達到 842 億元，同比增長達到了驚人的 178.9%，創下史上最高記錄。其中，受益于全球芯片價格上漲，半導體部門三季度運營利潤達 9.96 萬億韓元(約合 590.89 億元人民幣)，占整體運營利潤的近69%。

　　
曾有報道稱，自去年第二季度起，DRAM(主要包括移動式內存、PC 內存、服務器內存)產業營收都在一路飆升，每個季度都在刷新銷售額紀錄。此外，據臺灣 DRAM 相關廠商透露，三星、海力士陸續宣布明年首季調漲 DRAM 售價3%-5%。

　　
根據 Gartner 的分析，從產能增加情況和市場需求的預測，明年上半年DRAM產品仍然會緊俏，下半年會達到供需平衡甚至過多，但在局部市場一季度就可能看到回落。

　　
從目前情況看，三星、海力士開始采取行動來予以應對。如三星宣布計劃在平澤設廠擴建 DRAM 產能，SK海力士也宣布將在無錫設廠擴建 DRAM 產能，主流大廠的擴產計劃很有可能緩解持續上漲的走勢。

　　
盡管三星目前透露出擴建 DRAM 產能的消息，但并沒有透露擴建規模的相關計劃。從三星的戰略來看有未來有兩種可能，第一種，擴建的產能規模足夠填補當下需求缺口，那么將緩和本輪價格上漲趨勢;第二，計劃擴建更大產能，那么到明年下半年 PC 內存價格將會逐漸下跌。

本文關鍵詞：DRAM    DDR3

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