目前根據(jù)GlobalFoundries、三星、臺積電和聯(lián)電公布出來的計劃預計在今年或者明年開始以嵌入式內(nèi)存解決方案的形式提供 MRAM，開始提供自旋轉移力矩磁阻 RAM(spin-transfer torque magnetoresistive RAM，簡稱 ST-MRAM 或 STT-MRAM)作為 NOR 閃存的替代或 NOR 閃存之外的另一種選擇，標志著MRAM正式改變內(nèi)存市場的格局，因為到目前只有EVERSPIN為各種應用提供商用產(chǎn)品MRAM,包括替換電池供電的SRAM,寫緩存等等。
 
STT-MRAM使用電子自旋的磁性來實現(xiàn)芯片的非易失性，從性能來看，既有SRAM的速度，同時兼顧非易失性，更甚于塌近乎無限的耐久性，嵌入式內(nèi)存IP市場會是STT-MRAM的機會，傳統(tǒng)的嵌入內(nèi)存NOR內(nèi)存存在較多的問題，如40nm向28nm的工藝設計及以后節(jié)點遷移遇到的不可估計的問題，所以STT-MRAM會讓這項技術成為先進節(jié)點上對傳統(tǒng)技術的事實上的替代技術。
 
GlobalFoundries 嵌入式內(nèi)存副總裁 Dave Eggleston 說道，在針對汽車和安全應用時，嵌入式內(nèi)存將會是嚴酷環(huán)境中的數(shù)據(jù)存留之王，那是嵌入式閃存還將繼續(xù)長壽的領域。但它的擴展性不是很好。隨著你下降到 28nm 或更小的節(jié)點，嵌入式閃存實際上就成了一個成本高昂的選擇。”
STT-MRAM 也恰好為 20 幾納米及以后節(jié)點的嵌入式內(nèi)存應用做好了準備，用于汽車、物聯(lián)網(wǎng)、消費電子和移動設備的 MCU 和 SoC 上，嵌入式 STT-MRAM 有很大的機會替代嵌入式閃存，不失為這個行業(yè)的一種新的解決方案。

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