MRAM存儲芯片（磁阻隨機存取存儲器）結合了SRAM的高速讀寫與閃存的非易失性兩大特點。Everspin作為全球領先的MRAM存儲芯片供應商，推出的并行接口MRAM產品——MR0D08B，正逐步成為替代傳統SRAM、EEPROM、閃存以及電池供電SRAM（BBSRAM）的理想選擇。

 

　　Everspin 8位/16位并行接口存儲芯片與SRAM兼容，具有35/45ns訪問時序和無限耐久性。數據在超過20年的時間內不會發生變化。Everspin MRAM存儲芯片的低壓抑制電路會在斷電時自動保護數據，防止電壓超出規格時寫入數據。Everspin MRAM存儲芯片MR0D08B是應用的理想存儲器解決方案必須永久存儲和快速檢索關鍵數據和程序。MR0D08B在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。該產品提供商用溫度(0至+70°c)。

 

　　Everspin并行接口MRAM存儲芯片特征

 

　　①MR0D08B是雙電源(VDDQ)1Mb x8并行接口MRAM

 

　　②MRAM存儲芯片容量大小：1Mb

 

　　③MRAM存儲芯片工作電壓：3.3v

 

　　④I/O電壓范圍支持+1.65至+3.6伏的寬接口

 

　　⑤快速45 ns讀/寫周期

 

　　⑥斷電時保留數據

 

　　⑦數據非易失性，可保留20年

 

　　⑧SRAM兼容時序

 

　　⑨無限的讀寫耐久性

 

　　⑩符合RoHS標準的小尺寸BGA封裝

 

　　?MRAM存儲芯片更簡單、更高效的設計

 

　　?通過替換電池支持的SRAM提高可靠性

 

上一篇文章：Etron低功耗DDR2 SDRAM內存芯片EM68916CBQE

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